耐放射線性（RH）窒化ガリウム（GaN）・パワー・デバイスのリーダーである米EPC Space（本社：マサチューセッツ州アンドーバー）は6月25日、次世代衛星の発電装置や電気推進システムなどの高電圧、大電力の宇宙用途向けに、比類のない性能を提供する耐放射線（RH：radiation-hardened）の耐圧300 Vの窒化ガリウム（GaN）FET「EPC7030MSH」を発売したと発表しました。
衛星プラットフォームでは、増大する電力需要と高度な太陽電池アレイ技術をサポートするために、より高い電圧バスが必要ですが、EPC7030MSHは、高効率、小型で耐久性の高いフロントエンド電力変換の厳しいニーズに対応します。
EPC7030MSHは、このクラスで最小のオン抵抗RDS(on)とゲート電荷QG,を備え、に出回っているすべての300 Vの耐放射線GaN FETの中で最高の電流定格を実現しています。このため、厳しい熱と放射線の制約下で動作しなければならないフロントエンドDC-DCコンバータに最適です。
「300 VのRH GaN FETであるEPC7030MSHは、大電流と耐放射線信頼性を提供し、高電圧宇宙電源アーキテクチャの厳しい要求を満たし、ユーザーの熱設計を簡素化します」とCEO（最高経営責任者）のBel Lazarは述べています。
主な機能：
- 線エネルギー付与LET＝63 MeVで300 V動作定格、LET＝84.6 MeVで250 V動作の定格電圧
- 300 Vの耐放射線GaN FETの中で最も低いRDS(on)とQG
- 同等の電圧クラスで最高の電流定格
- 伝導冷却と沿面距離の延長に最適化されたFSMD-M気密表面実装パッケージ
- 既存のGaNゲート・ドライバと互換性あり
対象用途：
- 衛星電力システムのフロントエンドDC-DCコンバータ
- 高電圧分配バスの電力変換
- 小型で高性能なスイッチングを必要とする電気推進プラットフォーム
EPC7030MSHは、効率、サイズ、熱管理においてシリコンの耐放射線MOSFETを上回る宇宙品質の耐放射線GaNソリューションを提供するという当社の継続的なミッションの一環であり、より高性能で信頼性が高く、スケーラブルな衛星システムを実現します。
500個単位でのエンジニアリング・モデルの価格は 236米ドル、耐放射線宇宙対応モデルの価格は 349ドルです。
製品の詳細については、EPC7030MSHのページをご覧ください。
EPC および EPC Space の詳細については、それぞれのウエブサイトをご覧ください：
https://epc-co.com
https://epc.space
EPC Spaceについて
EPC Spaceは、宇宙やその他の過酷な環境向けに、革新的な高信頼性の放射線耐性エンハンスメント・モード窒化ガリウムのパワー・マネージメント（電源管理）・ソリューションを提供しています。
放射線耐性を備えた GaN ベースのパワー・デバイスは、電源、モーター駆動、イオン・エンジンなどの用途で、厳しい宇宙環境に対応します。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc. の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先
EPC Space：Renee Yawger、+1 908 619 9678 電子メール：[email protected]