D級オーディオ・システムでは、オーディオ特性は、FETの特性に影響されます。GaN FETは、よりハイファイなD級オーディオ・アンプを実現できます。
eGaN FETの低オン抵抗と低容量は、高効率化を可能にし、過渡相互変調歪み(T-IMD:Transient Intermodulation Distortion)を小さくするために、開ループ・インピーダンスを小さくします。高速スイッチング能力と逆回復電荷ゼロによって、全高調波歪み(THD)が低減され、出力の線形性が良くなり、クロスオーバー歪みも小さくなります。
D級オーディオ・アンプ用eGaN FETについての詳細とレファレンス・デザインのリストは、xをご覧ください。