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eGaN® の信頼性

平均故障時間MTTF(Mean Time to Fail)が信頼性レポートのフェーズ9に記載されています。このレポートによれば、全体で900万を超えるデバイス-時間で不具合はゼロでした。このレポートや当社の他のすべての信頼性試験レポートはeGaN FETの信頼性のページをご覧ください。

ESDテストは、HBMとマシンモデル(MM:Machine Model)のそれぞれに対して、JEDECとEIAの基準に基づいて実施しました。これらのデバイスは、HBMでクラス1A以上、MMではクラスCを満たしています。HBM ESDレベルは、信頼性レポートのフェーズ9を参照してください。

これまでの30年間の研究によって、シリコンMOSFETの劣化メカニズムは、よく理解されています。したがって、故障率もさまざまな動作条件下で見積もることができます。EPCのeGaN FETの構造は、MOSFETと大きく異なるので、劣化メカニズムもまったく異なります。eGaN技術は、新しいタイプの半導体材料を使用するため、シリコンに使われる加速係数は適用できない場合があります。EPCは、定期的に信頼性レポートを発行しています。これによって、ユーザーに、より詳細で、より高い統計的信頼度を提供します。これらのレポートはすべてeGaN FETの信頼性ページに掲載しています。引き続き、この資料を使って、当社のテストで見つかった故障メカニズムのデータを提供していきます。