単なる性能とコストの向上だけでなく、GaN技術が電力変換市場に与える最大のチャンスは、同じ基板上に複数のデバイスを集積することができるという本質的な能力にあります。 GaN技術は、一般的なシリコンIC技術とは対照的に、より簡単で費用対効果の高い方法で、単一チップ上にモノリシックな電源回路システムを実装できることです。
今日、電力変換に使われる最も一般的なビルディング・ブロックはハーフブリッジです。 EPCは2014年に、統合されたハーフブリッジ・デバイスのファミリーを発表しました。これは、パワー・システム・オン・チップへの道のりの出発点となりました。この流れは、ハーフブリッジと同期ブートストラップを統合したEPC2107とEPC2108の製品化によって進展しました2018の製品化に進展しました。2018年には、高効率化、小型化、低コスト化のために、ゲート・ドライバと高速GaN FETをワン・チップに集積化したeGaN ICの製品化によって、集積化への道を押し進めました。2020年、すべての機能を単一のGaNオン・シリコン集積回路に集積化することによって、電力変換を再定義するePower™ Stage ICファミリーが発売されました。 これらのデバイスについては、プロダクト・セレクタ・ガイドをご覧ください。