GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 設計
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3 16, 2022

APEC 2022で、GaNが複数の業界で48 V革命をどのようにリードしているかをご覧ください

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

EPCがApplied Power Electronics Conference (APEC)のために米国ヒューストンに向かう準備は順調に進んでいます。このチームは、GaNの優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなどの多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを直接展示して、帰ってくることを楽しみにしています。

10 25, 2021

eGaN FETを使って温度上昇が小さい12 V入力、60 V出力のブースト・コンバータを設計する方法

Jianglin Zhu, Senior Applications Engineer

ノート・パソコンやパソコンのモニターなどの最新のディスプレイには通常、低電力ブースト(昇圧型)・コンバータが必要です。このアプリケーションでは、画面の明るさの強度が低から中程度であり、このコンバータは、ほとんどの場合、軽負荷で動作するため、軽負荷の効率が非常に重要です。eGaN FETの低いスイッチング損失は、この課題に対処することに貢献します。このGaNの話のブログは、シンプルで低コストの同期ブースト構成で、eGaN FETを使って温度上昇が小さい12 V入力、60 V、50 W出力の DC-DCパワー・モジュールの設計について検討します。

3 03, 2021

宇宙用DC-DC設計にGaNを採用する理由

David Reusch, Ph.D., Principal Scientist, VPT

パワー・エレクトロニクスの技術者は常に、高い信頼性を維持し、コストを最小限に抑えながら、より高い効率とより高い電力密度が得られる設計に取り組んでいます。設計技術の進歩と部品技術の向上によって、技術者は、これらの目標を終始一貫して達成することができます。パワー半導体は、これらの設計の中核であり、それらの改善は、より良い性能に不可欠です。このEPCの宇宙のブログでは、GaNパワー半導体が宇宙用途の過酷な放射線環境での革新を可能にする方法を示します。