GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: Resonant Converter
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7 21, 2022

CEOコーナー:Alex Lidowは、GaNデバイスがシリコンよりもコストがかかるという神話を払拭します

Jianglin Zhu, Senior Applications Engineer

去る2015年に、米オンライン・ニュースVenture Beatは、シリコンから引き継いだ窒化ガリウム・チップに関する記事を公開しました。その記事で私は、GaN FETはシリコンよりも高性能で、かつ低コストなので、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体の広範な採用が可能であると主張しました。それでも、GaNがまだ、そのマイルストーンに到達していないという誤解が広まっています・・・これは誤った神話です。このブログで、この議論は定格400 V未満のデバイスに限定されているという注意と共に、この神話を払拭しようと試みます。これは、EPCのFETとIC製品のアプリケーションの焦点だからです。

最初のGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタが大量生産を始めてから12年以上が経過し、Lidar(光による検出と距離の測定)や宇宙の電子機器などの多くのアプリケーションで、非常に急速に採用されています。しかし、民生用電子機器、コンピュータ、モーター駆動、自動車などの他の市場についてはどうでしょうか? これらの各分野でさえ、性能の向上と低コスト化という予測される転換点が現実のものになってきたため、GaNデバイスが大量に使われ始めています。