How to GaN Webinar Series

設計のヒントのウエビナ

GaNベース設計の性能を最大化するための設計のヒント

日付:2022年10月18日

時間:午前10時(東京時間) 今すぐ登録!

セミナー時間:1時間

窒化ガリウム(GaN)FETが、従来のシリコンFETと比べて、優れた回路内性能を示していることは、パワー・エレクトロニクス業界全体で広く知られています。このウエビナでは、簡単で安価な設計手法をいくつか採用することで、GaN FETの使用がシリコンFETの使用と同じくらい簡単になることを示します。このウエビナに参加して、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使って最大の性能を得るための基本的な手法を見つけてください。

このウエビナでは、以下について説明します:

  • GaNの速度を最大限に活用するための最適なレイアウト手法。
  • GaN設計からさらに大きな電力を引き出すためのシンプルで安価な放熱技術とオンライン・ベースのサーマル・カリキュレータの検討。
  • さまざまなアプリケーションでのデッドタイム、逆回復電荷QRR、出力電荷COSSの影響の理解。
  • あなたの設計パラメータを使って、あなたの設計に最適なGaN FETを提案するオンラインのクロスリファレンス・ツールのデモ。

登録後、ウエビナへの参加に関する情報が記載された確認メールが届きます。

今後のセッションのトピックを提案する

ウエビナの全スケジュールを見るには、ここをクリック

Shoichi Yasuda

安田 昭一は、20年以上の実務経験があり、2018年10月に、日本と韓国の営業部門バイス・プレジデントとしてEPCに入社しました。EPCでの主な責務は、日本と韓国における会社の販売目標を達成するための戦略を作成し、実行することです。営業/マーケティングの管理だけでなく、FAEとして、さまざまな半導体企業で勤務してきました。EPCに入社する前は、日本の大手販売代理店に勤務し、EPCのeGaNの製品と利点に関する深い知識を習得しました。EPCを代表して、日本全国のさまざまな顧客に、EPCのソリューションをデモする機会を捉えて、窒化ガリウム・デバイスとアプリケーションの最新の技術開発を設計技術者と共有しています。

今すぐ購入