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GaN Transistors for Efficient Power Conversion
第3班

AEC認定のGaNデバイス

型番	構成	V_DS	Max R_DS(ON) (mΩ) (V_GS = 5 V)	Q_G 標準値 (nC)	Q_GS 標準値 (nC)	Q_GD 標準値 (nC)	Q_OSS 標準値 (nC)	パルスIDのI_D(A) (25°C, Tpulse = 300µs)	パッケージ (mm)
EPC2216	シングル	15	26	0.87	0.21	0.13	0.53	28	BGA 0.85 x 1.2	購入
EPC2206	シングル	80	2.2	15	4.1	3	72	390	LGA 6.05 x 2.3	購入
EPC2202	シングル	80	17	3.2	1	0.55	18	75	LGA 2.1 x 1.6	購入
EPC2214	シングル	80	20	1.8	0.5	0.3	8	47	BGA 1.35 x 1.35	購入
EPC2203	シングル	80	80	0.67	0.22	0.12	3.6	17	BGA 0.9 x 0.9	購入
EPC2212	シングル	100	13.5	3.2	0.9	0.6	18	75	LGA 2.1 x 1.6	購入

GaNの信頼性

このフェーズ11の信頼性レポートは、これまでの10本のレポート[1-10]で公開されている知識ベースの増加に追加され、いくつかの重要な新しいトピックをカバーしています。窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、2010年3月から量産されており、フィールドでの信頼性の記録を樹立しています。このレポートでは、この実績を達成するために採用した戦略について説明します。この戦略は、この業界に強靭な製品を供給するために、さまざまな条件下でデバイスを強制的に故障させるというテストに基づいています。

Alejandro Pozo、Ph.D.、Shengke Zhang、Ph.D.、Ricardo Garcia、John Glaser、Ph.D.、Robert Strittmatter、Ph.D.、Efficient Power Conversion Corporation

信頼性レポートのフェーズ11：全文