48V DC-DC Power Demos

48 VのDC-DC電源セミナー

48 V DC-DC Power Conversion

48 V = GaN

型番 構成 VDS 最大オ
ン抵抗
(mΩ)
(VGS =
5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
最大ピ
ーク・
パルスID(A)
(25°C,
Tpulse = 300µs)
パッケージ
(mm)
ハーフブリッジ開発基板 48 V
のリファレンス・デザイン
How2AppNote
EPC2053 GaN FET
EPC2053 シングル 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093 48 V入力、12 V、9 V、5 V
出力で、300 Wのブリック

48 V - 6 V, 900 W LLC
48 V - 12 V, 900 W LLC
EPC2045 GaN FET
EPC2045 シングル 100 7 5.9 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078 EPC9141
48 V入力、12 V, 10 A
出力のバック・コンバータ
48 V - 12 V, 60 A
Multi-Phase
EPC9205 48 V to 5 - 12 V DC-DC
EPC2052 GaN FET
EPC2052 シングル 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092
EPC2051 GaN FET
EPC2051 シングル 100 25 1.7 0.6 0.3 7.3 37 BGA 0.85 x 1.3 EPC9091

ePower™ Stage

型番 構成 公称論理
電源電圧
(V)
最大
入力電圧
(V)
RDS(on)
標準値
(mΩ)
定格
出力電流
(A)
機能 故障保護 最大
TJ
(°C)
パッケージ
(mm)
開発基板
EPC2152 GaN FET
EPC2152 ハーフブリッジ
ePower™ Stage
12 70 10 12.5 Level shifting,
Bootstrap circuits
UVLO 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

DC-DCコンバータ

型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
搭載製品 回路図 ガーバー BOM
(部品表)
 
EPC911848 V to 5 Vのバック・コンバータ30 V - 60 V5 V20 AEPC2001C
EPC2021
購入
EPC911548 Vから12 Vへの1/8ブリック48 V - 60 V12 V42 AEPC2020
EPC2021
購入
EPC914148 V - 12 Vのバック・コンバータ48 V12 V10 AEPC2045購入
EPC9143300 Wの1/16ブリック評価モジュール18 V - 60 V12 V25 AEPC2053購入

GaNの信頼性

このフェーズ11の信頼性レポートは、これまでの10本のレポート[1-10]で公開されている知識ベースの増加に追加され、いくつかの重要な新しいトピックをカバーしています。窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、2010年3月から量産されており、フィールドでの信頼性の記録を樹立しています。このレポートでは、この実績を達成するために採用した戦略について説明します。この戦略は、この業界に強靭な製品を供給するために、さまざまな条件下でデバイスを強制的に故障させるというテストに基づいています。

Alejandro Pozo、Ph.D.、Shengke Zhang、Ph.D.、Ricardo Garcia、John Glaser、Ph.D.、Robert Strittmatter、Ph.D.、Efficient Power Conversion Corporation

信頼性レポートのフェーズ11:全文

Phase 11 reliability