Lidar Demos

Lidar／飛行時間（ToF）セミナー

Lidar Time of Flight

Lidarリファレンス・デザイン

型番 構成 VBUS
（最大値） 		VINPUT
（最大値） 		TPin
（最小値） 		Max Pulse (A) 搭載製品 回 回路図 ガーバー BOM BOM
（部品表）
EPC9144 大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード 12 5 1 ns 28 EPC2216 購入
EPC9126 大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード 80 5 6 ns 75 EPC2212 購入
EPC9126HC 大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード 80 5 6 ns 150 EPC2001C 購入
ベンダー 型番 概要 最大パルス パルス幅 eGaN搭載製品 ベンダーへのリンク
米テキサス・インスツルメンツ社LMG1020EVM-006LiDAR評価モジュール401 ns - 2 nsEPC2019LMG1020EVM-006
米テキサス・インスツルメンツ社TIDA-01573LiDAR用ナノ秒レーザー・ドライバのリファレンス・デザイン601 nsEPC2019TIDA-01573

Lidar設計向け推奨デバイス

型番 構成 VDS 最大 RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V) 		QGの
標準値
(nC) 		QGSの
標準値
(nC) 		QGDの
標準値
(nC) 		QOSSの
標準値
(nC) 		パルスIDの
最大ピーク値 (A)
(25°C, Tpulse = 300µs) 		パッケージ
(mm) 		ハーフブリッジ開発基板
EPC2216 シングル 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2040 シングル 15 30 0.745 0.23 0.14 0.42 28 BGA 0.85 x 1.2 N/A
EPC2015C シングル 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C シングル 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8004 シングル 40 110 0.37 0.120 0.047 0.63 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9066
EPC2035 シングル 60 45 0.88 0.3 0.2 3 24 BGA 0.9 x 0.9 EPC9049
EPC8009 シングル 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9067
EPC2202 シングル(AEC-Q101) 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2214 シングル (AEC-Q101) 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 N/A
EPC2039 シングル 80 25 2.4 0.76 0.42 7.6 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2203 シングル(AEC-Q101) 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 N/A
EPC2053 シングル 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2045 シングル 100 7 5.2 1.7 1.1 21 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078
EPC2001C シングル 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9002C
EPC2212 シングル(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2052 シングル 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092
EPC2016C シングル 100 16 3.4 1.1 0.55 16 75 LGA 2.1 x 1.6 EPC9010C
EPC2051 シングル 100 25 1.8 0.6 0.3 7.2 37 BGA 1.3 x 0.85 EPC9091
EPC2007C シングル 100 30 1.6 0.6 0.3 8.3 40 LGA 1.7 x 1.1 EPC9006C
EPC2036 シングル 100 65 0.7 0.17 0.14 3.9 18 BGA 0.9 x 0.9 EPC9050
EPC8010 シングル 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 LGA 2.1 x 0.85 EPC9068
EPC2037 シングル 100 550 0.115 0.032 0.025 0.6 2.4 BGA 0.9 x 0.9 EPC9051
EPC2038 シングル 100 3300 0.044 0.020 0.004 0.134 0.5 BGA 0.9 x 0.9 EPC9507

GaNの信頼性

このフェーズ11の信頼性レポートは、これまでの10本のレポート[1-10]で公開されている知識ベースの増加に追加され、いくつかの重要な新しいトピックをカバーしています。窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、2010年3月から量産されており、フィールドでの信頼性の記録を樹立しています。このレポートでは、この実績を達成するために採用した戦略について説明します。この戦略は、この業界に強靭な製品を供給するために、さまざまな条件下でデバイスを強制的に故障させるというテストに基づいています。

Alejandro Pozo、Ph.D.、Shengke Zhang、Ph.D.、Ricardo Garcia、John Glaser、Ph.D.、Robert Strittmatter、Ph.D.、Efficient Power Conversion Corporation

信頼性レポートのフェーズ11：全文

Phase 11 reliability
仮想展示会のメイン・ページに戻る