Motor Drive Demos

モーター駆動セミナー

Motor Drive

ePower™ Stage

型番 構成 公称論理
電源電圧
(V)
最大
入力電圧
(V)

RDS(on)
標準値
(mΩ)
定格
出力電流
(A)
機能 故障保護 最大
TJ
(°C)
パッケージ
(mm)
開発基板
EPC2152 GaN FET
EPC2152 ハーフブリッジ
ePower™ Stage
12 70 10 12.5 レベルシフト、
ブートストラップ回路
UVLO 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

GaN FETとIC

型番 構成 VDS 最大 RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
パルスID
最大ピーク値 (A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
パッケージ
(mm)
ハーフブリッジ開発基板
EPC2101 GaN FET
EPC2101 ハーフブリッジ 60 11.5
2.8
3.3
13
1.1
3.9
0.5
2.2
9.3
45
80
350
BGA 6.05 x 2.3 EPC9037
EPC2102 GaN FET
EPC2102 ハーフブリッジ 60 4.9 8 2.5 1.5 26
31
220 BGA 6.05 x 2.3 EPC9038
EPC2039 GaN FET
EPC2039 シングル 80 25 1.91 0.76 0.42 7.64 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2105 GaN FET
EPC2105 ハーフブリッジ 80 14.5
3.6
2.7
11
0.9
3
0.5
2.1
11
51
70
300
BGA 6.05 x 2.3 EPC9041
EPC2103 GaN FET
EPC2103 ハーフブリッジ 80 5.5 6.5 2.2 1.1 30
34
195 BGA 6.05 x 2.3 EPC9039
EPC2021 GaN FET
EPC2021 シングル 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9034
EPC2106 GaN FET
EPC2106 ハーフブリッジ 100 70 0.73 0.24 0.14 3.96
4.68
18 BGA 1.35 x 1.35 EPC9055
EPC2212 GaN FET
EPC2212 シングル(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2001C GaN FET
EPC2001C シングル 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9013
EPC2045 GaN FET
EPC2045 シングル 100 7 6 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 N/A
EPC2104 GaN FET
EPC2104 ハーフブリッジ 100 6.8 6.8 2.3 1.4 35
41
180 BGA 6.05 x 2.3 EPC9040
EPC2053 GaN FET
EPC2053 シングル 100 3.8 11.4 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2022 GaN FET
EPC2022 シングル 100 3.2 13.2 3.4 2.4 71 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9035
EPC2034C GaN FET
EPC2034C シングル 200 8 11.4 3.8 2.1 95 213 LGA 4.6 x 2.6 EPC9048C

GaNの信頼性

このフェーズ11の信頼性レポートは、これまでの10本のレポート[1-10]で公開されている知識ベースの増加に追加され、いくつかの重要な新しいトピックをカバーしています。窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、2010年3月から量産されており、フィールドでの信頼性の記録を樹立しています。このレポートでは、この実績を達成するために採用した戦略について説明します。この戦略は、この業界に強靭な製品を供給するために、さまざまな条件下でデバイスを強制的に故障させるというテストに基づいています。

Alejandro Pozo、Ph.D.、Shengke Zhang、Ph.D.、Ricardo Garcia、John Glaser、Ph.D.、Robert Strittmatter、Ph.D.、Efficient Power Conversion Corporation

信頼性レポートのフェーズ11:全文

Phase 11 reliability