How to GaN Webinar Series

How2GaNサマー・シリーズ

デッドタイム、逆回復電荷QRR、出力容量COSSの影響を理解する

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4部構成のHow2GaNサマー・シリーズの第3回目は、GaNエキスパートたちがデッドタイム、QRR、およびCOSSの影響の理解に焦点を当てます。取り上げるトピックは以下です:

  • スイッチング損失におけるデッドタイム損失の役割
  • ボディ・ダイオードの電圧降下と逆回復
  • COSSの役割
  • これらの損失要素を説明するための設計手法

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Mark Gurries

講演者:Mark Gurriesは、米国の西半分にEPCの技術サポートを提供するFAEです。教育から大規模な顧客向けの設計まで、あらゆる形態の技術サポートを提供する顧客と直接連携して、複数の異なるタイプのアプリケーションでシリコン・ベースのソリューションを超えるGaN FETの完全な利点を実現できるように支援します。

2016年にEPCに加わる前は、DC-DC市場で製品設計とICの分野で31年の経験を持つシニア・デザイン・エンジニアでした。これまで勤務してきた注目すべき企業において、米アップルではノート・パソコンの電源を設計し、米リニアテクノロジーでICの機能と仕様を定義し、ICデモ・ボードを設計し、データシートとアプリケーション・ノートを制作しました。その後、小規模なスタートアップ企業に移りました。1985年にキャリアが始まり、電源の設計および/または製造を行うMIL仕様の製品のメーカーで働いていました。5件の特許を取得しており、複数の電子出版物に11本を超える技術論文を執筆しています。

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