GaNの利用法：電気的特性と熱特性を改善する Posted 2015年1月2日 「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。 米EEWeb誌 By: Alex Lidow 2014年12月 最も閲覧された関連記事 米This Week in Technology：TRIANGULATIONエピソード319「私たちの友人である窒化ガリウム」 APEC 2024で専門家がGaNとSiCについて意見交換 GaNの電力変換ソリューションが次世代アプリケーションに向かう ポッドキャスト：耐放射線および新しい宇宙用途におけるGaNの信頼性におけるEPCの進歩 DC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーションで次世代モノリシック集積GaNハーフブリッジ・パワー段を使うことによる性能上の利点