評価基板DrGaN^PLUSファミリーのEPC9201（30 V、40 A）とEPC9203（80 V、20A）は、高速スイッチング可能なeGaN®パワー・トランジスタを使って得られる非常に小型で高効率の電力変換を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月17日、電源システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価し、その製品を迅速に大量生産するための使いやすい方法を提供する評価基板DrGaN^PLUS のポートフォリオを拡大しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために、簡単に実装することができる極めて小型の単一プリント回路基板モジュールに、ハーフブリッジ回路に必要なすべての部品を統合した概念実証設計です。

耐圧80 V、出力20 Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータ「EPC9203」は、設計者が窒化ガリウム・パワー・トランジスタで強化された高い性能を迅速かつ簡単に評価できるようにした「プラグ・アンド・プレイ」の評価基板です。この基板は、入力電圧V_IN = 48 V、出力電圧V_OUT = 12 Vで、パワー段、コイル、ドライバ、コンデンサ、および、プリント回路基板における各損失を含めた全体のシステム効率がピーク値で97.5％以上を実現しています。

今回の基板は2枚とも、同じ方法で動作し、単一入力または2入力のPWMで駆動され、eGaN FETと、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを搭載しています。DrGaN^PLUS基板は、面積がわずか11mm×12mmと小型で、プリント回路基板に直接、実装できます。共通ソースおよび高周波電力転流ループ・インダクタンスの減衰させる効果を最小化するために最適にレイアウトしてあります。