新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積（2.6 mm×4.6 mm）にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。
同等のオン抵抗の最先端シリコン・パワーMOSFETに比べて、EPC2029は非常に小さく、スイッチング特性は何倍も優れています。EPC2029は、高速DC-DCコンバータ、DC- DCコンバータやAC-DCコンバータの同期整流、モーター駆動、D級オーディオなどの用途に最適です。
開発基板
この最新の高性能eGaN FETの評価プロセスを単純化するための開発基板「EPC9046」も用意しました。簡単にEPC2029の「回路内」での特性を評価できます。
この基板は、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ構成で、eGaNパワー・トランジスタ a href="/epc/jp/製品/eGaNFET/EPC2029.aspx">EPC2029を搭載しています。基板面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、2個のeGaN FETを搭載し、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを使っています。すべての重要な部品が含まれており、バック型の出力フィルタ部品を追加するためのスペースを用意してあり、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされています。波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。
価格と購入方法
パワー・トランジスタEPC2029の1000個購入時の単価は6.03米ドル、評価基板EPC9046 の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。2品種とも、Digi-Key社のウエブサイト（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即座に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。