電子機器のトレンドは、特性を向上させながら継続的に小型化を進めることです。シリコンMOSFET技術が、その理論限界にどんどん近づくと共に、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETが、パワーFETのスイッチング特性を一段と改善するために登場し、これによって、サイズを縮小し、効率を高めることによって、電力密度を新しい次元に高めることが可能です。この記事では、EPC社のeGaN FETの利点を完全に活用するために必要なレイアウトの推奨技術を探ります。

By: Ivan Chan、David Reusch博士
米EEWeb：米Modern Printed Circuits誌
2015年8月
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