開発基板のEPC9059は、電力密度を高めるために大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータの用途向けに、業界で初めてモノリシックのハーフブリッジ・エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）集積回路を搭載しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月27日、電力変換回路のサイズを小型化するために、eGaN ICを使って大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータ用のハーフブリッジ開発基板「EPC9059」を製品化しました。開発基板EPC9059は、最大デバイス電圧が30 Vで、最大出力電流は50 Aです。大きな出力電流を得るために、基板上の1個のゲート・ドライバで、2個の30 VのeGaN IC（EPC2100）を並列動作させています。GaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた電流分割能力を備えているので、並列動作に向いています。

この基板のシステム全体の効率は、スイッチング周波数1 MHz、12 V入力、1 V出力で動作したときに、ピーク値で90％近くになります。自然対流やヒートシンク（冷却器）なしで、最大32 A出力できます。40 Aの重い負荷条件では、シリコン・ベースのDrMOSのソリューションに比べて効率が2.5％優れており、システム全体の電力損失を約20％削減できることになります。

この基板は、eGaN技術が、次世代POLコンバータに必要な小型化、高効率化、および、高周波、大電流での高電力密度化を可能にする方法を実証しています。

米国での参考価格と購入方法

開発基板EPC9059の単価は、137.75米ドルで、Digi-Key社のウエブサイト（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。