この短いビデオで、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaN FETがLidar （光による検出と距離の測定）の解像度を数インチ（1インチは2.54cm）まで高めることができる回路を構成できる理由を説明します。同じ役目を果たす従来のシリコンFETは、わずか数フィート（１フィートは30.48cm）の解像度を得ることしかできないでしょう。この秘密は、GaN FETによって、超高速の立ち上がり／降下時間を実現できるからです。

米Design World誌
2016年4月11日
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