GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。

米Peregrine Semiconductor社
2016年７月12日
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