EPCのフェーズ9の信頼性レポートでは、GaNにストレスを加えたデバイス-時間の合計が900万を超えても不具合がゼロだったことを報告します。このレポートでは、基板レベルの熱機械的信頼性に焦点を当て、はんだ接合の完全性の予測モデルを初めて記述し、同等のパッケージに収めたデバイスを上回るウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）に収めたGaN技術の優れた信頼性を示しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年4月12日、基板レベルの厳格な熱機械的信頼性テストの結果をまとめたェーズ9の信頼性レポートを発表しました。 このフェーズ9の信頼性レポートは、EPCの最初の8件のレポートにまとめられた知識ベースをさらに増やし、GaN技術の信頼性に関する情報を研究、学習、共有するという継続的なコミットメントを実証しています。

EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士は、「新技術の信頼性の実証は、重要な仕事であり、当社は、非常に真剣に取り組んでいます。この9番目の信頼性レポートに記載されたテスト結果は、ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ封止の当社の窒化ガリウム製品が、半導体技術の選択肢として、シリコンを置き換えることができる優れた信頼性、コスト、性能を備えていることを示しています。ついに、パッケージを捨てるときが来ています」と述べています。

EPCのFETとICは、信頼性を向上させながら、性能を向上させ、コストを削減し、基板面積を最小化するウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）で製造されています。WLCSPは、放熱特性が優れているので、デバイスを最終用途のプリント回路基板にはんだ付けするときに重要になります。このレポートの主な部分は、基板レベルの熱機械的信頼性をカバーしています。

この研究のためのデバイスは、パッケージ・サイズと、はんだレイアウト構成の全範囲にわたって選択され、はんだ接合の完全性の予測モデルが開発されました。ユーザーは、このレポートに記載されている熱機械的ストレス・モデルを適用して、特定の最終用途での信頼性を予測することができます。はんだ接合の歪みと疲労寿命との相関関係を利用して、特定の最終用途に関連する任意のストレス条件での不具合に対する熱サイクルを予測するモデルを使うことができます。

EPCの9件の信頼性レポートにわたって蓄積された累積信頼性情報によって、eGaN^® FETとICは、信頼性が高く、最終製品の期待寿命内で非常に低い確率の不具合で動作することが示されています。優れた性能、コスト、および信頼性が得られ、GaN製品がシリコン・デバイスを上回ると報告された今、信頼性の低いパッケージに収められたシリコン・デバイスに別れを告げ、GaN技術のチップスケールのFETやICに移行する時が来ています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。