Efficient Power Conversionは、窒化ガリウムのトランジスタや集積回路を使ったワイヤレス・パワーのテーブルトップ(卓上充電器)、高性能LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 V入力、1.8 V出力の1段の DC-DC変換、高精度モーター駆動制御など、現在稼働している最終アプリケーションに関して、業界のエキスパートたちが制作した6本のビデオを公開しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年4月25日、eGaN® FETとICを使った最終ユーザーのアプリケーションを紹介する6本の短いビデオを制作し、ウエブサイトで公開したと発表しました。これらのビデオは、GaN技術が「私たちの生き方をどのように変えているか」、および、窒化ガリウムのFETとICの高性能を次世代電源システムの設計に組み込むために格闘している電源システムの設計技術者を紹介しています。
公開したアプリケーションのデモ・ビデオは:
1. APEC 2017:GaNのアプリケーション
電力変換の主要な会議であるAPEC 2017で、EPCは、GaNが私たちの生き方を変えている25件以上のアプリケーションを展示しました。このビデオでは、CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)が当社のブースを歩いて、同時に複数の機器に無線で電力を供給できる2×3フィートのテーブルトップなど、各種のアプリケーションを紹介しています。
2. 電源コードを切断しろ! GaNベースの無線充電用テーブルトップ
このビデオでは、ノート・パソコン、ビデオ・モニター、Google Home、Amazon Alexa、卓上灯、携帯電話に、ワイヤレス・パワーで同時に電力を供給できるテーブルトップをデモしています。GaNは、私たちの携帯電話だけでなく、私たちの家庭のための無線充電も可能にしています。
3. LiDAR用GaNドライバ
今日のeGaN® FETとICは、成熟したパワーMOSFETよりも10倍高速にスイッチングできます。この高速性によって、LiDAR(光による検出と距離の測定)システムは、優れた解像度、高速な応答時間、より高い精度を実現できます。自動運転車や拡張現実(AR)システムなどの精度の向上が重要になるアプリケーションにおいて、この技術が急速に牽引力を高めています。
4. 48 V入力、1.8 V出力のDC-DC変換:第5世代GaN FET対MOSFET
EPCは、自社の最新世代のプロセスで、シリコンMOSFETのパワー素子に再度、大きな打撃を与え、面積とコストを削減すると同時に性能を向上させました。このビデオでは、同等のMOSFETに比べて、電力損失を30%低減し、電力密度を3倍にし、はるかに小さい実装面積で済む100 VのGaN FETとの比較を列挙しています。
5. 150 V入力、12 V出力のDC-DC変換:第5世代GaN FET対MOSFET
EPCは、シリコンMOSFETのパワー素子に再度、大きな打撃を与え、面積とコストを削減すると同時に性能を向上させました。このビデオでは、同等のMOSFETに比べて、電力損失を40%低減し、電力密度を3倍にし、実装面積を1/15に小型化した200 VのGaN FETとの比較を列挙しています。
6. モーター駆動のアプリケーション
このビデオは、米テキサス・インスツルメンツ社のLMG5200を使う48 V入力で10 A出力の 3相GaNインバータのリファレンス・デザインの例です。このGaNソリューションは、ヒートシンクを不要にするより良い熱プロファイルを備え、インダクタンスを小さくすることで面積と重さを削減しています。このリファレンス・デザインの効率は、信じがたい値、98.5%です!
EPCのCEO(最高経営責任者)で共同設立者のAlex Lidowは、 「この短いビデオのシリーズは、窒化ガリウムのFETとICの高性能化によって、現在実現されるか、または強化されている特定の最終アプリケーションを紹介しています。これらのビデオは、革新的で先進的な電源システムの設計技術者によるGaN製品の利用において、革新を促進するために企画されています」と語っています。
GaNアプリケーションのデモのビデオは、PCのビデオ・ライブラリまたはEPCのYouTubeのビデオ・チャネルで簡単にアクセスできます。
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