D級オーディオ・アンプのアーキテクチャが成熟した現在、アンプのフィデリティ（忠実度）と効率の限界は主に、デバイス・レベルにあります。シリコンMOSFETは、ほぼ40年間進化していますが、完全なスイッチへの進展は、劇的に減速しています。音質と効率を低下させるMOSFETの基本的な特性がいくつかあります。2010年には、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）・パワーFETがEfficient Power Conversion（EPC）によって製品化され、完全なスイッチに向けて大きなステップを踏み出しました。

米Audio Engineering Society
2017年5月11日
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