高効率ハーフブリッジ開発基板のEPC9086は、最近製品化された米Peregrine Semiconductor社の高速ゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 VのeGaN^®ハーフブリッジPE29102を搭載し、最高10 MHzまで動作します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年10月19日、最高10 MHzまで動作可能な高効率ハーフブリッジ開発基板「EPC9086」を製品化しました。EPC9086の基板の大きさは、2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、米Peregrine Semiconductor社が最近製品化したゲート・ドライバEPC2111と組み合わせた耐圧30 V、最大出力電流15 Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウムのハーフブリッジPE29102を搭載しています。

この開発基板の目的は、Peregrine社の高速ゲート・ドライバPE29102などのすべての重要な部品を、既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板上に組み込むことによって、eGaN であるEPC2111の評価プロセスを単純化し、製品を市場に投入する期間を短縮するねらいです 。

Peregrine Semiconductor社のパワー・マネージメント（電源管理）製品ラインのディレクタMark Moffat氏は、「PE29102は、eGaN FETなど、スイッチング速度が速い外部のパワー・デバイスのゲートを制御するために特別に設計され、集積化された高速ドライバです」と述べています。このドライバの出力は、デッドタイムの整合性が最適化され、サブナノ秒の範囲のスイッチング遷移速度を実現し、最高40 MHzのハード・スイッチングの用途で最高クラスの伝搬遅延を提供するので、GaNパワー・トランジスタの高性能を引き出せることが重要な特徴です。PE29102は、最小パルス幅5 nsで、面積2 mm×1.6 mmのフリップ・チップとして提供されるので、高周波での高いデューティ比の電力変換のための小型パワー段を構成できます。

この基板は、高い周波数のアプリケーションに使うことができ、ノート・パソコンやタブレット端末などのサイズと高さを大幅に削減できます。EPC9086は、12 V入力からPOL（負荷点）へのDC-DCコンバータの用途で評価されており、5 MHzでスイッチングする場合、10 Aで効率86％、10 MHzでスイッチングする場合には80％以上の効率を実現しました。

米国での価格と購入方法

高効率ハーフブリッジ開発基板EPC9086の単価は、118.75米ドルです。この発表資料に記載されたすべてのEPC製品は、Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.jp/ja/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier）で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。