EPCは、GaN技術の優れた性能が、コンピュータ、通信、自動車などの業界全体の電力供給をどのように変えているかを示すライブ・デモを実施する予定です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は、当社のチームが2019年3月6日、3月17日～21日に米国カリフォルニア州アナハイムで開催されるAPEC 2019 で、窒化ガリウム（GaN）技術とその応用に関する11件の技術発表を行うと発表しました。さらに、eGaN技術によって実現されるユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示する予定です。
当社ブース（番号953）では、120 W～3 kWのDC-DC電力レベルを扱うデモを実施します。このデモには、3 kWを供給可能な48 V入力、12 V出力の絶縁型高電力密度双方向コンバータが含まれます。自動運転車に使われる一連の3次元リアルタイムLidar（光による検出と距離の測定）イメージ・センサーも展示します。携帯電話、ノート・パソコン、モニター、ワイヤレス・スピーカー、スマート・ウォッチ、卓上灯など、さまざまな機器に無線で電力を供給できる大出力の共振型無線充電ソリューションも展示します。電力変換部品を再定義する新しいGaN ICもあります。
APEC（Applied Power Electronics™）のプレミア・イベントでは、パワー・エレクトロニクス・ビジネスの実用面と応用面に焦点を当てています。これは、パワー・エレクトロニクスのあらゆる種類の部品や機器の使用、設計、製造、マーケティングにおける幅広いトピックを取り扱うパワー・エレクトロニクスの実践的な専門家の主要な会議です。APECの詳細については、http://www.apec-conf.org/を参照してください。
EPCのエキスパートによるGaN FETと集積回路に関する技術発表：
- 教育セミナー：コンバータ設計のWBGデバイス特性：課題と解決策
指導者：Fred Wang博士、Zheyu Zhang博士、Edward A. Jones博士
- GaNベースのマルチレベル・コンバータの評価
講演者：Yuanzhe Zhang博士
- 48 Vでのシリコンに対するGaNの正面攻撃
講演者：Alex Lidow博士
- レーザー・ドライバ用大出力ナノ秒パルス回路の設計と測定
講演者：John Glaser博士
- 高降圧比ハーフブリッジ・コンバータにおける対称および非対称のスケーリングをしたGaN FETの評価
講演者：Jianjing Wang博士、Edward Jones博士、Michael de Rooij博士
- 将来のデータセンター向けに、効率98％以上を実現するGaNベースの安定化していない48 V入力、x V出力の高電力密度LLCコンバータ
講演者：Mohamed Ahmed博士、Michael de Rooij博士
- 高共鳴ワイヤレス・パワー・システムの効率向上
講演者：Michael de Rooij博士、Yuanzhe Zhang博士
- 共振型ワイヤレス・パワー・システムにおける整流器構成の最適化
講演者：Michael de Rooij博士、Yuanzhe Zhang博士
- GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計
講演者：Edward Jones博士
- 自動車用GaNの信頼性：AEC-Qを超えるテスト
講演者：Robert Strittmatter博士
- GaNベースのクランプ回路を使ったGaN FETのハード・スイッチングの動的オン抵抗特性
講演者：Edward Jones博士
すべての予定は、/epc/jp/イベントとニュース/APEC2019.aspxで入手できます。/p>
会期中にEPCのアプリケーションのエキスパートとのミーティングを希望する参加者は、EPCブースでのセッション、プライベート・ミーティング、または、当社の顧客スイートでのミーティングを設定できます。プライベート・ミーティングを希望する場合は、http://epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspxから申し込んでください。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
報道関係の問い合わせ先
Renee Yawger (<