EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97％以上、1 MHzで96％以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

より高い効率と電力密度を要求するアプリケーションにおいて、もはやサイズと特性の間での選択に悩む必要はありません。EPC2052のサイズは、わずか1.50 mm x 1.50 mm（2.25 mm2）です。実装面積が小さいにもかかわらず、スイチイング周波数500 kHzのときに10 A出力で効率97％以上、スイッチング周波数1 MHzでは10 A出力で96％以上の効率が得られる48 V入力、12 V出力のバック（降圧型）・コンバータで動作するので、システム・サイズを大幅に小型化できます。加えて、EPC2052は安価なので、シリコンMOSFETに匹敵する価格でGaN FETの特性が得られます。この優れた特性、小型、低コストの恩恵を受けるアプリケーションには、コンピュータや、通信システムLidar（光による検出と距離の測定Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明、D級オーディオ向けの48 V入力のパワー・コンバータなどがあります。

「高周波で高効率に動作するeGaNベースのパワー・デバイスの能力によって、シリコンとの特性とコストのギャップが拡大します。100 VのEPC2052は、最も近いシリコンMOSFETよりもはるかに小型であり、高周波で動作するので実装スペースも節約することができます」とEPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。

開発基板

開発基板のEPC9092は、最大デバイス電圧100 Vで、ハーフブリッジ構成のEPC2052と、米テキサス・インスツルメンツのゲート・ドライバLMG1205を搭載しています。この基板の面積は、2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）で、最適なスイッチング特性が得られるように設計されており、100 VのeGaN FET であるEPC2052の評価を単純化するための重要な部品をすべて搭載しています。

米国での参考価格と購入方法

eGaN FETのEPC2052の単価は、1000個購入時で0.68米ドル、10万個購入時に0.54ドルです。開発基板EPC9092の単価は118.75ドルです。

いずれの製品も、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）で入手でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger ([email protected])

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。