EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」（最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V）を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

このデバイスと、すでに製品化したEPC2045（7 mΩ、100 V）、EPC2052（13.5 mΩ、100 V）、およびEPC2051（25 mΩ、100 V）とで、幅広い電力レベルに対応した包括的な100 V製品ファミリーになります。48 Vのサーバー、48 Vの自動車、54 Vのデータセンターといったアプリケーションの需要拡大に対応する価格帯にしました。100 Vファミリーのこの他のアプリケーションには、48 V入力でオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャを負荷とする1段の電源回路、USB-C、精密モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、Lidar（光による検出と距離の測定）などがあります。

100 VのeGaN FETファミリー、最高クラスの48 V入力DC-DC向け

この最新世代の100 VのGaNデバイスは、48 Vの電力変換の効率を高め、サイズを縮小し、システム・コストを低減します。