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電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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