これらの新世代の100 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振）に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar（光による検出と距離の測定）などがあります。
EPC22183.2 mΩ、パルス電流231 A）とEPC2204（6 mΩ、パルス電流125 A）は、前世代のeGaN FET製品と比べて、オン抵抗RDS(on)がほぼ20％小さく、直流定格が向上しています。ベンチマークのシリコン・デバイスに対する性能の優位性はさらに大きくなりました。
EPC2204はオン抵抗が25％小さくなりますが、サイズは1/3と小型です。ゲート電荷（QG）はシリコンMOSFETのベンチマークの半分以下であり、すべてのeGaN FETと同様に、逆回復電荷（QRR）がないため、低歪みのD級オーディオ・アンプ、および、より高効率な同期整流器やモーター駆動を実現できます。
ベンチマークの100 VのシリコンFETと100 VのeGaN FETの性能比較
EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、「これらの新しい100 VのeGaN FETの優位性が明らかなので、高価になると思うでしょう。しかし、当社は、最先端の100 Vのトランジスタの価格を、成熟した前任者であるシリコン・パワーMOSFETに匹敵する価格に設定しています。設計者は、高性能、小型で、熱効率が高く、同等のコストのデバイスを利用できるようになります。パワーMOSFETからGaNデバイスへの置き換えは加速し続けています」と語っています。
米国での参考価格と入手方法
各製品と、関連する開発基板やリファレンス・デザイン・ボードの価格を下の表に示します。すべての製品と基板は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から入手できます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパ