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間接飛行時間ToF型レーザー・ドライバ向けの統合ゲート・ドライバを備えたGaNのePower™超高速スイッチ
Posted 2020年11月2日
窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM（figure of merit）を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。
独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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