Efficient Power Conversion（EPC）は、ePower™StageICのEPC2152が2020年のElektra Award for Semiconductor Product of the Year（Analogue）を受賞したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月30日、当社のePower™ StageのEPC2152 集積回路（IC）が、Semiconductor Product of the Yearのアナログ部門でElektra Award 2020を受賞したと発表しました。この受賞は、3月25日に、英Electronics Weekly誌が主催するバーチャル授賞式で発表されました。これらの権威ある年次賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を表彰するために19年以上にわたって実施されています。審査は、業界の専門家からなる独立した偏りのない、多様で知識豊富なパネルによって行われます。

EPC2152は、当社独自のGaN IC技術を使って、ドライバとeGaN^® FETハーフブリッジ・パワー段をワン・チップに集積した製品です。ハーフブリッジとして構成されたeGaN出力FETと共に、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、およびゲート駆動用バッファの各回路がモノリシック・チップに集積されています。これによって、わずか3.9 mm✕ 2.6 mm✕0.63 mmと小型のチップスケールLGA（ランド・グリッド・アレイ）封止のデバイスが実現できました。

ePower StageのEPC2152は、48 V入力、12 V出力のバック（降圧型）・コンバータで1 MHzのスイッチング周波数で動作し、同等の複数チップのディスクリート実装と比べて、プリント回路基板のサイズが33％小さいソリューションで、96％以上のピーク効率を得られます。

EPC2152を使うと、DC-DCコンバータ、モーター駆動、D級オーディオなどのシステムの高電力密度アプリケーションの設計者は、GaN技術によって可能になった大幅な性能の向上を簡単に利用できます。ワン・チップに集積したデバイスによって、設計、レイアウト、アセンブリが容易になり、プリント回路基板のスペースを節約でき、効率が向上します。

「Elektra Awardsの審査員団によって、より高い性能とより小さなソリューション・サイズが実現できるePower stage ICであるEPC2152の能力が認められたことを非常に誇りに思います。この統合パワー段は、ディスクリート・デバイスの統合から、シリコン・ソリューションの能力を超える回路内性能を提供するより複雑なソリューションへのGaN電力変換の進化における次の重要なステップであり、パワー・システム技術者の設計を一段と容易にします」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。