パワー・ブリックはGaNで効率が向上 Posted 2021年10月15日 LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。 英ニュース・サイト米Power Electronic Tips 2021年10月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引 超薄型コンピューティング用途向けの48 Vの超薄型、高電力密度DC-DCコンバータの電力と磁気の設計課題への対応