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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN) FETを搭載した開発基板を製品化

開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)の電界効果トランジスタ(FET)を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。

開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード(eGaN)の電界効果トランジスタ(FET)であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。

開発基板EPC9010は、面積が2インチ×1.5インチ(1インチは2.54cm)で、eGaN FETのEPC2016を2個と米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113を使ったハーフブリッジ構成で、電源回路やバイパス・コンデンサも搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性を得るために、すべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。波形測定や効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

クイック・スタート・ガイド(http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf)には、参考のため、および、簡単に使うために開発基板EPC9010も含まれています。

開発基板EPC9010の単価は99.00米ドル(米国での参考価格)で、Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即座に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。