Efficient Power Conversion（EPC）の市場をリードするeGaN^® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。

EPC9102は、絶縁型1/8ブリック・コンバータです。この基板は、36 V～60 V入力、12 V出力、最大出力電流17 Aで、375 kHzの位相シフト・フルブリッジ・コンバータです。 EPC9102は、eGaN FETベースのDC-DCコンバータが、業界標準のブリック・コンバータの大きさの制約のなかで出力電力と電力密度を高められることに貢献することを実証しています。

「Electronic Products China誌に業界をリードする製品として認められ、光栄です。すでに、同様の商業用1/8ブリックDC-DCコンバータよりも50%～100％程度高い動作周波数で良好な特性が得られており、これは、当社のすべてのeGaN FETが、シリコン・ベースMOSFETのより高性能な代替品として顧客に採用されている理由の良い例です」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。

大手エレクトロニクス業界誌のElectronic Products China誌は、技術的に重要な進展、革新的な設計、費用対効果の大幅な向上を達成した製品を判定します。今年の受賞者のための贈呈式は、米IDG社と米Hearst Publication Groupが主催する21iCとElectronic Products China誌の第11回Power Technology Conferenceの期間中に、北京で2012年9月20日に行われました。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。