賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn）は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。
「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。
EPC9005は、面積2インチ×1.5インチで、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113、電源、およびバイパス・コンデンサを使って、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET（EPC2014）を搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性を得るように、すべての重要な部品を搭載し、レイアウトしてあります。簡単に波形測定や効率計算ができるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。
詳細は、下記を参照して、当社ウエブサイトをご覧ください：
Electronics Product China誌について
エレクトロニクス業界の主要な雑誌であるElectronics Product China誌は、大きな技術的進歩によって達成された製品、革新的な設計、価格／性能の本質的な向上を評価します。この年の受賞者のための贈呈式は、2013年9月12日に雑誌のパワー・コンファレンスの間に北京で開かれました。
EDN China誌のイノベーション・アワード
ICと関連製品の設計の偉業を認めるために、EDN誌の年間イノベーション・アワードは23年前に米国で始まりました。今日、それは北米でエレクトロニクスの設計技術に対する最も名誉ある賞のうちの1つになるほどに発展しました。EDN China誌 のイノベーション・アワードとして2005年に中国に導入され、受賞製品は地方市場で広く認知されるようになると共に、着実に、エレクトロニクス設計業界において、中国本土で最も先見性があり、評判の高い栄誉の1つとなりました。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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