GaNの利用法：高周波ワイヤレス・パワー伝送用eGaN® FET Posted 2014年1月26日 高共鳴、疎結合で、6.78MHzのISM帯ワイヤレス・パワー伝送についてのプレゼンテーションです。eGaN FETがどのようにこの技術を可能にしているかを示します。このコラムでは、現在のeGaN FETを使う効率的な無線エネルギー伝送や、電圧モードのD級とE級のアプローチの例を示します。 EEWeb Alex Lidow、2014年1月26日（日） 最も閲覧された関連記事 高速GaNトランジスタの測定技術の評価 GaNアプリケーション：パワー・マネージメント（電源管理）で次のステップに進展へ APEC 2017：GaN技術、私たちの生き方を変える準備をする GaN：１度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する EPC8000ファミリー、Bodo’s Power Systems誌の「今月の環境に優しい製品」として脚光を浴びる