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GaNの利用法:高周波ワイヤレス・パワー伝送用eGaN® FET

高共鳴、疎結合で、6.78MHzのISM帯ワイヤレス・パワー伝送についてのプレゼンテーションです。eGaN FETがどのようにこの技術を可能にしているかを示します。このコラムでは、現在のeGaN FETを使う効率的な無線エネルギー伝送や、電圧モードのD級とE級のアプローチの例を示します。

EEWeb
Alex Lidow、2014年1月26日(日)

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パワー半導体メーカーは、特定用途向けの新製品をねらう

以下のメーカーによって発表された新製品の調査:米テキサス・インスツルメンツ社、米アナログ・デバイセズ社、米リニアテクノロジー社、米マキシム・インテグレーテッド社、米インターシル社、米フェアチャイルド社、EPC社、米IR社。Don Tuite氏が共通要素を見つける:これら企業の製品は、顧客のために困難な仕事を行っている。

米Electronic Design誌
Don Tuite
2014年1月6日

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