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「GaNの利用法」シリーズのこの回では、鍵となるスイッチングの性能指数FOM(figure of merit)を大幅に改善し、高周波電力変換においてパワーMOFETとの特性の差を広げることで、ムーアの法則が生き続けていることをeGaN FETの新しいファミリーで説明します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年10月
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EPC9118は、最大48 V、および、それ以上の電源電圧で、高周波スイッチング可能なeGaN® FETを使う電力変換の小型化と高効率化を容易に実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年10月21日、完全に機能するバック(降圧)型電力変換のデモ回路「EPC9118」を製品化しました。この基板は、30 V~60 Vの入力から5 Vを出力し、最大出力電流20 Aで400 kHzで動作するバック・コンバータです。エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2001とEPC2015、および、バック・コントローラLTC3891を搭載しています。このバック・コンバータの設計は、通信、産業、医療の用途における分散型電源ソリューションに最適です。
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米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率(CAGR)63%で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。
米Compound Semiconductor誌
2014年10月
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