半導体調査会社は今年、合併や買収が1006億米ドルだった発表しています。半導体メーカーは、長い間、新しい技術を獲得するために買収を利用しています。しかし、最近の多くの案件は、主に、製造、販売、エンジニアリングなどの分野でのコスト削減という動機であり、より古い産業における統合の波に似ています。

米Wall Street Journal誌
2015年10月18日
By: Don Clark
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市場調査会社Transparency Market Researchの最新の調査報告書によると、2012年に3億7982万米ドルだった世界的なGaN半導体デバイスの市場は、2019年末までに22億373万ドルに達し、2013年から2019年までの予測期間中に、年平均成長率（CAGR）が24.6％と驚くべき成長を記録すると予測しています。

米Industry Today誌
2015年10月14日
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オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速く、熱インピーダンスが小さく、物理的なサイズが小さいという利点を兼ね備えたeGaN FETは、パワー・トランジスタ特性の水準を上げ続けています。GaN技術が発展するにつれて、パワー・トランジスタの特性を急速に向上するだけでなく、コストの大幅な削減も実現しています。GaNデバイスは、新しいアプリケーションを可能にし続けるだけでなく、コスト重視のアプリケーションでもシリコン・パワー・トランジスタを置き換えるでしょう。実際、この最初の兆候は、すでにここにあります。

米Power Systems Design誌
By: Johan Strydom博士
2015年9月26日
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100 V、1 A、550 mΩのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタEPC2037は、デジタル論理ICで直接駆動でき、無線充電のD級アンプやE級アンプの用途において、優れた高周波スイッチング特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年10月6日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ（eGaN^® FET）・ファミリーの最新の製品として「EPC2037」を発売しました。