賞を授与された開発基板EPC9005は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com、www.epc-co.com.cn）は2013年11月22日、開発基板EPC9005が中国の業界誌2誌の賞、すなわち、Electronics Product China誌のトップ10パワー・プロダクト・アワード2013の最適化開発賞と、EDN China誌の中国イノベーション・アワード2013の優秀製品賞を受賞したと発表しました。

「Electronics Product China誌とEDN China誌から業界をリードする製品として認められたことを名誉に思います」と、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べました。さらに、「当社のEPC9005基板は、耐圧40VのeGaN FET であるEPC2014に基づき、高周波スイッチングの電力変換システムの迅速な設計を促進します。EPC9005は、十分に解説されたエンジニアリング・サポート資料が完備した既製品で、しかも簡単に接続できる開発基板です」とも語りました。

D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク（冷却器）が不要です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷（BTL：Bridge-Tied-Load）設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。

EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET（EPC2016）を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI（電磁干渉）／EMC（電磁環境適合性）放射の低減にも潜在的に貢献します。

eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96％、250W、4Ωで効率92％を実現しています。

D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。

• 米国と欧州：Renee Yawger、+1.908.475.5702 または [email protected]
• アジア太平洋地域：Stephen Tsang、+852.9408.8351 または [email protected]

eGaN FETの設計情報とサポート：

• オーディオ基板EPC9106のライブ・デモ： http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s
• D級オーディオ用eGaN FETのプレゼンテーション（音声）： http://www.youtube.com/watch?v=g0dZIgfF0-s&feature=youtu.be
• クイック・スタート・ガイド： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9106_qsg.pdf
• http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-icsで、EPC2016やすべてのEPCのeGaN のデータシートをダウンロードできます。
• http://epc-co.com/epc/products/demo-boardsから、開発基板やこのほかの設計サポート資料を入手できます。
• http://epc-co.com/epc/DesignSupport.aspxで、eGaN FETのアプリケーション・サポート資料をご覧になれます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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スイッチング周波数10MHz以上での電力変換には、高速トランジスタと、高周波特性の良いパッケージの両方が必要です。eGaN FETは、パッケージと同様に、匹敵するもののないデバイス特性を提供することによって、成熟したパワーMOSFETと比べて、高周波での電力変換特性を改善する能力が実証されています。

Bodo’s Power Systems
寄稿者：Alex Lidow
2013年11月