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パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC(Applied Power Electronics and Exposition Conference)2013において、EPC社のCEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する半日セミナーや技術的なプレゼンテーションを行います。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年2月25日、APEC 2013において、教育セミナーと、アプリケーションに焦点を当てた数件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月17日~21日に、米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されます。
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電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。
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EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。
開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。
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