パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日～20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。

耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧V_DSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗R_DS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。

THD（全高調波歪み）、ダンピング・ファクタ（DF）、T-IMD（相互変調歪み）のような重要な特性パラメータで測定されたオーディオ・アンプによって再生された音の質は、使われたスイッチング・トランジスタの特性によって影響を受けています。D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN（eGaN）FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク（冷却器）を不要にできる高い効率を可能にします。この結果、低コストで構築することができる小さな筐体で、より良い音質のシステムになります。

EEWeb
Alex Lidow
2014年2月

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上前から市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって、すでに独占されていた多くの用途に浸透してきています。高共鳴ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡、D級オーディオのような新たに出現した用途では、最新世代のeGaN® FETから得られる多くの利点があります。この記事では、これらの新しい用途において、パワーMOSFETから窒化ガリウム・トランジスタに急速に転換する動きについて考察します。

Power Pulse
Alex Lidow
2014年2月

開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック（降圧）・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。