APEC 2017で、Efficient Power Conversion（EPC）は、もうすぐ私たちの生き方が変わることを証明しようとして、eGaN技術を使ったアプリケーションを展示しました。

オンライン・ニュースの米Electronics360
2017年3月29日
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Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、運転手のいない自動車分野がどこに向かうのか、その可能性を実現するために貢献する技術は・・・

米The Stack誌
2017年3月17日
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光による検出と距離の測定（lidar）は、近年、大きく注目されている汎用の光ベースのリモート・センシング技術です。それは、数多くのメディアに登場し、良く知られた電気自動車会社である米テスラモーターズ社のエンジニアリングの選択についての一般的な議論にもつながっています。この記事では、この論争に参加するつもりはありませんが、lidarについてのいくつかの背景を説明し、パワー・エレクトロニクス技術との強いつながりについて議論します。

発行：IEEE Power Electronics Magazine誌 ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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Efficient Power Conversion（EPC）社は、入手可能な窒化ガルウム・トランジスタのコストを削減し、チップ面積と実装面積を縮小すると同時に、性能を向上させた第5世代（Gen5）プロセスへの強化によって、シリコンMOSFETのパワー素子に一段と大きな打撃を与えました 。

EPC社のCEO（最高経営責任者）／共同設立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と彼のチームは、再度、努力して彼らの専門知識を活用し、シリコン・デバイスが実現できる以上の性能を必要とする新しい市場に向けて、ユニークなパワー・ソリューションの選択肢を提供します。このチームの技術力と深い理解度は、プロセスの量子力学にまで及び、ソリューションのサイズとコストを削減するだけでなく、より優れた性能も実現しています。

米EDN誌
2017年3月15日
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3300億米ドルのシリコン・チップ業界は、あらゆる電子機器の基盤となっています。しかし、多くの合併や買収を促している成熟の新しいレベルに達しているので減速しています。

このため、シリコンの代替材料 ―― 窒化ガリウム（GaN）の業界のパイオニアであり、主たる提唱者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼の時代が来たように感じています。彼の会社であるEfficient Power Conversion（EPC）社は、以前のチップの半分の面積で、大幅に高性能化したeGaNチップの新しい世代を発表しています。

米VentureBeat誌
2017年3月15日
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EPC社は、eGaN^®FETのEPC2045とEPC2047を製品化し、前世代のeGaNトランジスタに対してチップ面積を半分にした上で、大幅な高性能化を実現しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年3月15日、「EPC2045」（オン抵抗7 mΩ、耐圧100 V）と「EPC2047」（10 mΩ、200 V）を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを下げると同時に、性能を向上したと発表しました。EPC2045のアプリケーションには、48 V入力から負荷への1段のオープン・ラック・サーバー・アーキテクチャ、POL（負荷点）コンバータ、USB-C、LiDAR（光による検出と距離の測定）などがあります。200 VのEPC2047の例には、無線充電、マルチレベルのAC-DC電源、ロボット、太陽光発電用マイクロインバータなどがあります。

EPCは、パワー・エレクトロニクス応用の世界的な展示会APEC^®2017で、GaN技術の優れた特性が私たちの生き方をどのように変えているかを示す25件以上のデモを展示し、当社のエキスパート達は、GaN FETとICの技術に関する7件の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年3月8日、EPCチームが、3月26日～30日に米国フロリダ州タンパで開催されるAPEC 2017で、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する7件の技術プレゼンテーションを行い、最新のeGaN^®FETとIC、およびeGaN技術によって実現される当社顧客の最終製品を展示すると発表しました。