EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V～28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET（LM5113）を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。

デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ（１インチは2.54cm）角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入／出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN FETを使って実現できる特性を確かめられ、0.5インチ×0.5インチと超小型にレイアウトしてあります。

窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。

米How2Power誌
2013年6月

パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は主張しています。

米Compound Semiconductor誌
2013年6月

米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。

米EEWeb Pulse誌
2013年6月

EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。

米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月

eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz～2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。

著者：Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長

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