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GaNオン・シリコンFETでパワー・デバイス市場に押し寄せる意図、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が将来の市場機会について米Compound Semiconductor誌に語りました。
米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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ワイド・バンドギャップの窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオンSi）トランジスタは現在、一般に入手できることについての長い話。彼らは、シリコン・ベースのMOSFETを置き換えるためにしつこく売り込んでいます。これは、多くの高性能電源の設計にとって、非効率性からの脱出となります。最近では、GaNオンSiベースのHEMTやFETのいくつかのサプライヤが市場に出現し、その中にEfficient Power Conversion（EPC）社があります。電源設計がシリコンMOSFETからeGAN FETに移行するためのeGAN FETの評価を円滑に行うために、EPC社は、ここ数年の間にいくつかの開発基板を製品化しました。
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
2014年7月15日
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN®FETの優れた特性は、高共鳴でRezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
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eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗（内部抵抗）、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98％以上の電力変換を可能にします。
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エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V～200 Vの範囲で、オン抵抗（内部抵抗）を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL（負荷点）コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。