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Efficient Power Conversion(EPC)の市場をリードするeGaN® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。
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この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域(SOA)特性が得られます。
By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌
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eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域(SOA)データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。
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The advantages provided by eGaN FETs in hard switching isolated and non-isolated applications have been addressed previously. Here, we demonstrate the ability of the eGaN FET to improve efficiency and output power density in a soft switching application, compared to what is achievable with existing power MOSFET devices.
By David Reusch, Ph.D., Director of Applications, EPC
Power Electronics Technology
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