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過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオン・シリコン）・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。
Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月
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業界のエキスパートが執筆した『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』には、窒化ガリウム・トランジスタの理論と応用の両方が記載されています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年12月3日、窒化ガリウム・トランジスタのテキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の簡体字中国語版を出版したと発表しました。このテキストは、電源システムの設計エンジニアに、窒化ガリウムに基づくトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する基本的な技術や応用に焦点を当てた情報を提供します。
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エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。
「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。
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エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2012年10月8日、米EE Times誌の新興ベンチャーのシリコン60社リストに選出されたと発表しました。これらの企業は、技術、ターゲット市場、成熟度、財政状態、投資プロファイル、および経営幹部のリーダーシップなどの基準の組み合わせに基づいて、EE Times誌の編集チームによって選ばれます。
「最もホットな新興エレクトロニクス企業の1社として、EE Times誌に認められたことは非常に光栄です。同誌は「今後も注目すべき新興企業」としています」とEfficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。
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これまで、このシリーズでは、ハードおよびソフトの両方のスイッチング用途において、eGaN® FETがシリコンMOSFETを超える特性改善を実現できることを示すことが重要な取り組みでした。すべての場合において、eGaN FETは、MOSFETを超える改善を示しました。eGaN FET対シリコンのパワー決戦シリーズのこの回では、チップ・サイズの最適化プロセスが議論され、特定の結果を示すためにアプリケーション例を使います。
Johan Strydom博士、EPC社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
米Power Electronics Technology誌
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Efficient Power Conversion（EPC）の市場をリードするeGaN® FETが中国Electronic Products China誌のトップ10パワー製品賞を受賞
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月19日、当社のデモ・ボードEPC9102が中国Electronic Products China誌のトップ10 パワー製品賞であるTechnology Breakthrough賞を受賞したと発表しました。
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この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域（SOA）特性が得られます。
By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌
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eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域（SOA）データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。
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The advantages provided by eGaN FETs in hard switching isolated and non-isolated applications have been addressed previously. Here, we demonstrate the ability of the eGaN FET to improve efficiency and output power density in a soft switching application, compared to what is achievable with existing power MOSFET devices.
By David Reusch, Ph.D., Director of Applications, EPC
Power Electronics Technology
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Superior switching speeds of EPC’s eGaN FETs increases the efficiency of power electronics for highly resonant wireless power transfer.
EL SEGUNDO, Calif.—August 13, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced a high efficiency wireless power demonstration system utilizing the high frequency switching capability of gallium nitride transistors. eGaN FETs from EPC are an ideal solution for these systems because of their ability to operate efficiently at high frequency, voltage, and power.
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Gallium Nitride transistors have been available since Eudyna and Nitronex first introduced depletion-mode RF transistors in about 2005. Since then many new companies have entered the field with both RF transistors (e.g. RFMD, Triquint, Cree, Freescale, Integra, HRL, M/A-COM, and others), and transistors designed to replace power MOSFETs in power conversion applications (e.g. Transphorm, International Rectifier, GaN Systems, microGaN, and Efficient Power Conversion). This article discusses if this ground swell of activity mean that GaN transistors are ready to replace power MOSFETs, and, if so, why?
By Alex Lidow, Ph.D., CEO, EPC
Power Pulse.Net
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Wireless power applications are gaining popularity in many commodity products such as mobile phones chargers. Enhancement mode gallium nitride transistors offer an alternative to MOSFET technology as they can switch fast enough to be ideal for wireless power applications. This article focuses on experimental evaluation of an induction coil wireless energy system using eGaN FETs operating at 6.78 MHz designed to be suitable for multiple 5 W USB based charging loads.
By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC and Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC
Power Electronics Technology
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In this article, we show that using GaN Transistors such as Efficient Power Conversion’s eGaN® FETs can improve the efficiency of isolated eighth brick DC-DC converters. This type of power converters is used extensively in mainframes, servers and telecommunication systems, and is available in a variety of sizes, output power capability, and input and output voltage ranges. Its modularity, power density, reliability and versatility have simplified the isolated power supply market.
By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC
Bodo’s Power Systems
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EPC9102 showcases the performance that can be achieved using the EPC2001 eGaN FETs and the LM5113 eGaN FET driver from Texas Instruments
EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9102, a fully functional eighth brick converter. This board is a 36 V – 60 V input to 12 V output, 375 kHz phase-shifted full bridge (PSFB) eighth brick converter with 17 A maximum output current. The EPC9102 uses the 100 V EPC2001 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver to optimally drive and fully release the benefits of enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9102 demonstrates the performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this eGaN driver.
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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Envelope tracking (ET) for radio frequency (RF) amplifiers is not new. But with the ever increasing need for improved cell phone battery life, better base station energy efficiency, and more output power from very costly RF transmitters, the need for improving the RF Power Amplifier (PA) system efficiency through ET has become an intense topic of research and development.
We demonstrate what power and efficiency levels are readily realizable using eGaN FETs in a buck converter for high power envelope tracking applications.
By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC Power Electronics Technology
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