半導体の標準的な品質認定テストでは通常、データシートに指定されている制限、またはその近くで、デバイスに長期間または特定のサイクル数のストレスを加えます。品質認定テストの目標は、テストされた部品の大規模なグループの故障をゼロにすることです。部品を故障する所までテストすることによって、データシートの限界間のマージン量を理解することができますが、さらに重要なことは、半導体の固有の故障メカニズムを理解し、見るつけることができることです。

米IEEE Power Electronics Magazine誌
2020年12月
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GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車用Lidar（光による検出と距離の測定）です。Lidar技術は、クルマの周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するために、高い精度と信頼性が要求されます。この記事では、Lidarの特定の使用例について、AEC（Automotive Electronics Council）の品質認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、EPCによって開発された新しいテスト・メカニズムについて説明します。

米Power Systems Design誌
2020年12月
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EPCは、40 V、3 mΩのeGaN^® FETであるEPC2055を発売し、高性能がかつ要求され、スペースに制約のある用途向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月17日、eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月16日、仏BrightLoop Convertersが当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETトランジスタEPC2029によって、最新のBB SP DC-DCバック（降圧型）・コンバータのサイズとコストを大幅に削減し、信頼性を向上させたと発表しました。BrightLoopは、シリコン（Si）トランジスタから窒化ガリウム（GaN）に切り替えることで、同じ効率を維持すると同時に、この設計のスイッチング周波数を200 kHzから600 kHzに高めることができました。この設計変更によって、ソリューションの電力密度が約2倍に向上し、より小さな容器の実装が可能になるため、コストが削減されました。

EPCのEPC2029 は、ボール・ピッチ1 mmを特徴とする80 V、48 AのeGaN FETです。ピッチを広くしたので、より大きなビアをデバイスの下に追加できるため、実装面積が2.6 mm×4.6 mmと非常に小さいにもかかわらず、大電流を流すことができます。

パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月15日、わずか33 mm×22.9 mm（1.3×0.9インチ）と非常に小型の1/16ブリック形状の300 Wの双方向DC-DC電圧レギュレータ「EPC9151」を製品化したと発表しました。パワー・モジュールのEPC9151は、EPCのePower™ Stage集積回路であるEPC2152と、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル・シグナル・コントローラ（DSC）であるdsPIC33CKを搭載し、48 Vから12 Vへの降圧（または、12 Vから48 Vへの昇圧）の300 W のコンバータ設計で、効率95％以上が得られます。このスケーラブルな2相設計に、相を追加すれば、さらに電力を増やすことができます。

窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイド・バンドギャップ（WBG）半導体は、電力変換の新しい最前線であり、設計技術者に、まったく新しい周波数スペクトルだけでなく、電力密度や形状の新たなチャンスを提供します。

EDN編集諮問委員会
2020年12月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月23日、権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）2020のContributor of the Year賞をCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が受賞したと発表しました。

WEAAの構想は、世界中のエレクトロニクス産業の革新と発展に卓越した貢献をした製品、企業、個人に栄誉を授けることです。調査会社の米 ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと、アジア、米国、欧州のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、世界最大のエレクトロニクス業界メディアで、米EE Times誌や米EDN誌などの世界を対象とするメディアの米SaaSグループに属します

EPCは、170 V、6.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2059を製品化し、高性能の48 V同期整流用に、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性が高く、低コストのデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月10日、eGaN FET の「EPC2059」（6.8 mΩ、170 V）を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。このデバイスは、幅広い電力レベルと価格帯に適した100 V〜200 Vソリューション・ファミリーの最新の製品です。これらは、48 V〜56 Vのサーバーやデータセンター向け製品の需要の高まり、および、ゲーム用パソコンなどのハイエンド・コンピューティング、液晶／LED（発光ダイオード）のテレビ、LED照明といった一連の民生用電子機器の電源用途に対応するように設計されています。

Stefan WerkstetterがEMEA（欧州、中東、アフリカ）の新しいセールス・ディレクタに任命され、DC-DC、Lidar（光による検出と距離の測定）、モーター制御、その他の最先端の電力変換システムなどのアプリケーションでのeGaN^® FETと集積回路の採用を支援することに注力します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、欧州市場での窒化ガリウム（GaN） FETと集積回路の継続的な採用をサポートするために、Stefan WerkstetterをEMEA（欧州、中東、アフリカ）セールスのディレクタに任命したと発表しました。

GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック（降圧型）などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。

米Power Electronics News誌
2020年11月
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窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM（figure of merit）を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。

独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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人工知能の究極の目的は、機械が自律的に動作する能力を備えることです。今後10年間で、指数関数的に成長すると予測されているそのような分野の1つは、自動運転車です。人口知能と、エレクトロニクスやコンピュータの技術の急速な進歩が相まって、無人運転という言葉が、まもなくこの道を引き継ぐでしょう。

米AI Time Journal誌
2020年10月
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世界をリードする電子部品販売業者である米Digi-Key Electronicsは、Efficient Power Conversion（EPC）と協力して、モーター駆動にeGaN FETとICの力を利用する方法に関するウエビナを主催すると発表しました。このウエビナは10月28日午前8時（太平洋標準時）に開催されます。

EPCのウエビナ・ページで、より小型・軽量で、より高精度なモーター駆動のためのGaNの力を利用するウエビナに登録してください

EPC（Efficient Power Conversion）の超高効率eGaN^® FETを使った高電力密度DC-DC変換の2つのソリューションによって、超薄型ノート・パソコン、ディスプレイ、ハイエンドのゲーム・システム、その他の物理的に薄い家庭用民生用電子機器向けの高効率ソリューションが可能になります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月13日、48 V入力のDC-DC変換向けデモ・ボード2品種「EPC9148」と「EPC9153」を製品化したと発表しました。 EPC9153は、シンプルで低コストの同期整流型バック（降圧）構成を採用した250 Wの非常に薄いパワー・モジュールです。部品の高さは最高6.5 mmで、ピーク効率98.2％を実現しています。EPC9148は、ピーク効率98％を維持すると同時に、部品の高さを4 mm以下にできるマルチレベル構成を採用しています。

シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。

独Bodo’s Power Systems
2020年10月
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これらの新世代の100 VのeGaN^® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振）に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar（光による検出と距離の測定）などがあります。

半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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これらの新世代の200 VのeGaN^® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、太陽光発電用マイクロインバータやオプティマイザ、マルチレベルの高電圧AC / DCコンバータに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月20日、耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスの用途には、D級オーディオ、同期整流、太陽光発電用MPPT（最大電力点追跡）、DC-DCコンバータ（ハードスイッチおよび共振）、マルチレベル高電圧コンバータなどがあります。