開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67％増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ（IBC）向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、１個のハイサイド（制御）用電界効果トランジスタ（FET）と比べて、並列接続された2個のローサイド（同期整流）用FETが、はるかに長い期間導通します。
eGaN FETは、シリコンMOSFETと比べて、電流分割能力が優れているので、並列動作に理想的です。この開発基板は、極めて低いインダクタンスのパッケージに基づいた最適なレイアウトに関するEPCの開発を拡張したものです。ここで使った 最適レイアウト 技術は、電圧のオーバーシュートやEMI（電磁干渉）雑音を低減すると同時に、効率を高めます。
開発基板EPC9016は、耐圧40V、最大出力電流33Aのハーフブリッジ構成のeGaN FET（EPC2015）を、ゲート駆動ICのLM5113と共に搭載しています。このハーフブリッジ構成は、1個のハイサイド・デバイスと並列接続した2個のローサイド・デバイスを備え、非絶縁型の通信インフラ向けのPOL（負荷点）コンバータやバック・コンバータなどの高降圧比のバック・コンバータに最適です。
開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性を得るために、すべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。波形測定や効率計算を簡単にできるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。
開発基板EPC9016には、参照および取り扱いのためのクイック・スタート・ガイド（ http://epc-co.com/epc/jp/製品/評価基板/EPC9016.aspx）が含まれています。
開発基板EPC9016の単価は、130米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc.page?&lang=en）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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