米IDT社とEPC社、窒化ガリウムとシリコンの統合で協業、より高速・高効率の半導体デバイスへ Posted 2015年5月22日 画像：米ビジネスワイヤ社 米Integrated Device Technology（IDT®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN®技術の統合について検討します。 プレスリリースの全文を読む 最も閲覧された関連記事 EPC、最先端の窒化ガリウム・パワー・デバイスの継続供給を確約 Efficient Power Conversion、新たに出現したGaN技術の特許保護を求めてITCで競合する中国のInnoscienceを提訴 Efficient Power Conversion（EPC）、欧州のセールス・チームを強化へ Efficient Power Conversion（EPC）、カナダSolace Powerと提携、今後の250 Wワイヤレス・パワーのプラットフォームに高効率、低コストのeGaN FET搭載で Efficient Power Conversion（EPC）、メーカーから最終ユーザーまでの全パワーGaN業界を網羅する初開催の会議「GaN Con」を仏Yole Développement（Yole）やSEMIと共に後援へ
