GaNハーフブリッジのEPC2111は、12 Vから1.8 Vに変換するPOL（負荷点）システム全体の効率を、スイッチング周波数5 MHz、出力14 Aで効率85％以上、スイッチング周波数10 MHzでは80％以上に向上できるソリューションを電源システム設計者に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月1日、耐圧30Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2111」を製品化しました。2つのeGaN^®パワーFETをワン・チップに集積することによって、プリント回路基板上で必要な相互接続のインダクタンスを排除でき、チップ間のスペースが不要になります。これによって、効率（特に高い周波数）と電力密度の両方が向上し、最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストが削減できます。EPC2111は、12 VからPOL（負荷点）への高周波のDC-DC変換に最適です

ハーフブリッジ部品EPC2111に集積した各デバイスの定格電圧は30 Vです。上側のFETのオン抵抗RDS(on) は標準値で14 mΩ、下側のFETのRDS(on) は標準値で6 mΩです。EPC2111は、スイッチング速度と熱特性を改善するためにチップスケール・パッケージに封止され、電力密度を高めるために、その面積は、わずか3.5 mm×1.5 mmと小型です。

このデバイスの主なアプリケーションは、ノート・パソコンやタブレット端末です。これらのシステムの電力変換回路は、基板スペースのほぼ半分を占め、基板の高さを決めています。GaNの高周波能力は、電力変換に必要なサイズを削減し、次世代モバイル・コンピュータのサイズの大幅な縮小を牽引します。

米国での参考価格と購入方法

モノリシック・ハーフブリッジEPC2111http://www.digikey.jp/ja/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier）で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。